SPD08P06P
Код товара: 10815961
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SPD08P06P
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET P-CHANNEL 60V 8.83A TO252
Цена от:
53,79 руб.
Нет в наличии
Описание SPD08P06P
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 8,8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | DPAK (TO-252) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 300 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2.1V |
| Максимальное рассеяние мощности | 42 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SIPMOS |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10 нКл при 10 В |
| Высота | 2.3мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Длина | 6.5мм |
| Ширина | 6.22мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка SPD08P06P
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242 ₽
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара