RN1901(TE85L,F)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
TR.+VIASRES,NPN*2,VCEO=50V,IC=100MA,US6
Производитель:
Toshiba Semiconductor
Артикул:
RN1901(TE85L,F)
Описание RN1901(TE85L,F)
Transistor with Built-in Resistor, BRT Series 2in1 US6, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 50 В |
| Тип корпуса | США |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Конфигурация транзистора | Изолированный |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 10 В |
| Число контактов | 6 |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Размеры | 2 x 1.25 x 0.9мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара