2SK3669(Q)
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание 2SK3669(Q)
MOSFET N-Channel, 2SK Series, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 10 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 100 В |
| Тип корпуса | PW Mold |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 125 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 20 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | 2SK |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 8 нКл при 10 В |
| Высота | 2.3мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.5мм |
| Ширина | 5.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара