GT30J322(Q)
Изображения служат только для ознакомления.
См. документацию товара
Описание GT30J322(Q)
IGBT Discretes, Toshiba
| Brand | Toshiba |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 30 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Тип корпуса | TO-3PNIS |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 15.8 x 5 x 21мм |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Страна происхождения | JP |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара