BFG325W/XR
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Описание BFG325W/XR
RF Bipolar Transistors, NXP
| Brand | NXP |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальный пост. ток коллектора | 35 мА |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 6 В |
| Тип корпуса | CMPAK |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Максимальное рассеяние мощности | 210 мВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 15 В |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 2 В |
| Максимальная рабочая частота | 14000 МГц |
| Число контактов | 4 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Размеры | 1 x 2.2 x 1.35мм |
| Страна происхождения | CN |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара