PRF957,115
Описание PRF957,115
RF Bipolar Transistors, NXP
Brand | NXP |
---|---|
Тип транзистора | NPN |
Максимальный пост. ток коллектора | 100 мА |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 10 В |
Тип корпуса | UMT |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Максимальное рассеяние мощности | 270 мВт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение коллектор-база | 20 В |
Максимальное напряжение эмиттер-база | 1,5 В |
Максимальная рабочая частота | 8500 МГц |
Число контактов | 3 |
Количество элементов на ИС | 1 |
Размеры | 1 x 2.2 x 1.35мм |
Страна происхождения | MY |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара