NGTB25N120IHLWG
Код товара: 10842851
Цена от:
232,47 руб.
Нет в наличии
Описание NGTB25N120IHLWG
IGBT Discretes, ON Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
Brand | onsemi |
---|---|
Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Максимальное рассеяние мощности | 192 Вт |
Тип корпуса | TO-247 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Тип канала | N |
Число контактов | 3 |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.08мм |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Способы доставки в Калининград
Доставка NGTB25N120IHLWG
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара