NGTB25N120IHLWG
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
NGTB25N120IHLWG
Производитель:
Описание Eng:
IGBT,1200V,25A,INDUCTION HEATING,TO247
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
232,47 ₽
Нет в наличии
Описание NGTB25N120IHLWG
IGBT Discretes, ON Semiconductor Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 50 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 1200 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 192 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 16.26 x 5.3 x 21.08мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка NGTB25N120IHLWG
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 233 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2392 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 2 раб. дней
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара