SQJ412EP-T1_GE3
Код товара: 10844894
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
SQJ412EP-T1_GE3
Описание Eng:
MOSFET N-CH 40V 32A 175C POWERPAK SO8L-5
Цена от:
180,86 руб.
Нет в наличии
Описание SQJ412EP-T1_GE3
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 32 A |
| Максимальное напряжение сток-исток | 40 В |
| Тип корпуса | PowerPAK SO-8L |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 5 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 8,5 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.5V |
| Максимальное рассеяние мощности | 83 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | SQ Rugged |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Автомобильный стандарт | AEC-Q101 |
| Длина | 5мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 80 нКл при 10 В |
| Высота | 1.14мм |
| Ширина | 5.03мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка SQJ412EP-T1_GE3
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара