HGTG30N60B3
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
HGTG30N60B3
Производитель:
Описание Eng:
IGBT, FAIRCHILD, HGTG30N60B3
Цена от:
618,24 руб.
Нет в наличии
Описание HGTG30N60B3
Discrete IGBTs, Fairchild Semiconductor
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Максимальный непрерывный ток коллектора | 60 A |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
| Максимальное рассеяние мощности | 208 Вт |
| Тип корпуса | TO-247 |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Тип канала | N |
| Число контактов | 3 |
| Скорость переключения | 1МГц |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Размеры | 15.87 x 4.82 x 20.82мм |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка HGTG30N60B3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара