FCP190N60
Код товара: 10848339
Цена от:
413,08 руб.
Описание FCP190N60
SuperFET® and SuperFET® II N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild added the SuperFET® II high-voltage power MOSFET family using the Super Junction Technology. It provides best-in-class robust body diode performance in AC-DC Switch Mode Power Supplies (SMPS) applications such as servers, telecom, computing, industrial power supply, UPS/ESS, solar inverter, lighting applications, which require high power density, system efficiency and reliability.
Utilizing an advanced charge balance technology, designers achieve more efficient, cost-effective and high performance solutions that take up less board space and improve reliability.
Brand | onsemi |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 20 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 600 В |
Тип корпуса | TO-220 |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Число контактов | 3 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 199 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Минимальное пороговое напряжение включения | 2.5V |
Максимальное рассеяние мощности | 208 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Серия | SuperFET |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 10.67мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 57 нКл при 10 В |
Высота | 16.51мм |
Ширина | 4.83мм |
Материал транзистора | Кремний |