SIS430DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
40,10 руб.
Нет в наличии
Описание SIS430DN-T1-GE3
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
| Brand | Vishay |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 21 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 25 В |
| Тип корпуса | PowePAK 1212 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 8 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 6,9 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 1.2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 52 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Длина | 3.15мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 26,5 нКл при 10 В |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Высота | 1.12мм |
| Ширина | 3.15мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | CN |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка SIS430DN-T1-GE3
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2157 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара