BSS308PE
Цена от:
26,04 руб.
Нет в наличии
Описание BSS308PE
Infineon OptiMOS™P P-Channel Power MOSFETs The Infineon OptiMOS™ P-Channel power MOSFETs are designed to give enhanced features meeting quality performances. Features include ultra-low switching loss, on-state resistance, Avalanche ratings as well as being AEC qualified for automotive solutions. Applications include dc-dc, motor control, automotive and eMobility.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,6 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 130 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 1V |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 2V |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | OptiMOS P |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 2.9мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 5 нКл при 10 В |
| Высота | 1мм |
| Ширина | 1.3мм |
| Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка BSS308PE
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 278 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара