BF999E6327
Код товара: 10851595
Цена от:
37,01 руб.
Нет в наличии
Описание BF999E6327
Infineon Dual-gate MOSFET Tetrode Dual-gate Low noise Tetrode MOSFET RF transistors from Infineon
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 1,4 А |
Максимальное напряжение сток-исток | 30 В |
Тип корпуса | SOT-23 |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 3 |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное пороговое напряжение включения | 1.5V |
Минимальное пороговое напряжение включения | 0.8V |
Максимальное рассеяние мощности | 200 мВт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Типичный коэффициент усиления по мощности | 27 дБ |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 2.9мм |
Высота | 0.9мм |
Ширина | 1.3мм |
Материал транзистора | Кремний |
Способы доставки в Калининград
Доставка BF999E6327
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара