BFP640H6327
Код товара: 10851649
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
BFP640H6327
Производитель:
Описание Eng:
SIGE RF TRANSISTOR NPN 4V SOT343
Цена от:
64,86 руб.
Нет в наличии
Описание BFP640H6327
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип транзистора | NPN |
| Максимальный пост. ток коллектора | 50 мА |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 4 В |
| Тип корпуса | SOT-343 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Максимальное рассеяние мощности | 200 мВт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 13 В |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 1,2 В |
| Максимальная рабочая частота | 40 ГГц |
| Число контактов | 4 |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Размеры | 2 x 1.25 x 0.9мм |
Способы доставки в Калининград
Доставка BFP640H6327
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара