BFP740H6327

Код товара: 10851652

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
BFP740H6327
Производитель:
Описание Eng:
SIGE RF TRANSISTOR NPN 4V SOT343

Описание BFP740H6327

SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.

BrandInfineon
Тип транзистораNPN
Максимальный пост. ток коллектора30 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)4 В
Тип корпусаSOT-343
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности160 Вт
Конфигурация транзистораОдинарный
Максимальное напряжение коллектор-база13 В
Максимальное напряжение эмиттер-база1,2 В
Максимальная рабочая частота42 ГГц
Число контактов4
Количество элементов на ИС1
Размеры2 x 1.25 x 0.9мм

Способы доставки в Калининград

Доставка BFP740H6327 в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 813
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 715
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2242
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.