FQU5P20TU
Цена от:
59,35 руб.
Описание FQU5P20TU
QFET® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductors new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.
| Brand | onsemi |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 3,7 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 200 В |
| Тип корпуса | IPAK (TO-251) |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 1,4 Ω |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 3V |
| Максимальное рассеяние мощности | 45 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | QFET |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 6.8мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 10 нКл при 10 В |
| Высота | 7.57мм |
| Ширина | 2.5мм |
| Материал транзистора | Кремний |