IRGSL4B60KD1PBF
Код товара: 10855381
Цена от:
167,36 руб.
Нет в наличии
Описание IRGSL4B60KD1PBF
Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
Brand | Infineon |
---|---|
Максимальный непрерывный ток коллектора | 11 A |
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 600 В |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | ±20V |
Максимальное рассеяние мощности | 63 Вт |
Тип корпуса | I2PAK (TO-262) |
Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
Тип канала | N |
Число контактов | 3 |
Скорость переключения | 8 → 30кГц |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Размеры | 10.67 x 4.83 x 11.3мм |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Максимальная рабочая температура | +175 °C |
Страна происхождения | MX |
Способы доставки в Калининград
Доставка IRGSL4B60KD1PBF
в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807 ₽
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710 ₽
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179 ₽
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290 ₽
EMS
от 5 раб. дней
от 1481 ₽
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара