IRGSL4B60KD1PBF

Код товара: 10855381

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRGSL4B60KD1PBF
Производитель:
Описание Eng:
IGBT 600V 11A ULTRAFAST DIODE TO-262

Описание IRGSL4B60KD1PBF

Co-Pack IGBT up to 20A, Infineon Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.

BrandInfineon
Максимальный непрерывный ток коллектора11 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер±20V
Максимальное рассеяние мощности63 Вт
Тип корпусаI2PAK (TO-262)
Тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
Тип каналаN
Число контактов3
Скорость переключения8 → 30кГц
Конфигурация транзистораОдинарный
Размеры10.67 x 4.83 x 11.3мм
Минимальная рабочая температура-55 °C
Максимальная рабочая температура+175 °C
Страна происхожденияMX

Способы доставки в Калининград

Доставка IRGSL4B60KD1PBF в город Калининград
Boxberry
от 12 раб. дней
от 807
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 710
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2179
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 5 раб. дней
от 1481
СДЭК
от 7 раб. дней
от 833
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.