FDC642P_F085
Изображения служат только для ознакомления
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
60,99 руб.
Описание FDC642P_F085
PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs employa shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generations.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuits or replace a higher voltage rating MOSFET.
| Brand | Fairchild Semiconductor |
|---|---|
| Тип канала | P |
| Максимальный непрерывный ток стока | 4 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 6 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 105 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Минимальное пороговое напряжение включения | 0.4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 1,2 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -8 В, +8 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Серия | PowerTrench |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 3мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 6,9 нКл при 4,5 В |
| Высота | 1мм |
| Ширина | 1.7мм |
| Материал транзистора | Кремний |
