MDF9N50BTH
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
57,46 руб.
Нет в наличии
Описание MDF9N50BTH
High Voltage (HV) MOSFET High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
| Brand | MagnaChip |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 9 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 500 В |
| Тип корпуса | TO-220F |
| Тип монтажа | Монтаж на плату в отверстия |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 850 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное пороговое напряжение включения | 4V |
| Максимальное рассеяние мощности | 38 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -30 В, +30 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Прямое напряжение диода | 1.4V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 10.71мм |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 15,7 нКл при 10 В |
| Высота | 16.13мм |
| Ширина | 4.93мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Страна происхождения | KR |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка MDF9N50BTH
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 391 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1216 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 385 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 217 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара