BSZ900N15NS3 G
MOSFET N-CHANNEL 150V 13A OPTIMOS TSDSON
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BSZ900N15NS3 G
Описание BSZ900N15NS3 G
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 100V and over
Brand | Infineon |
---|---|
Тип канала | N |
Максимальный непрерывный ток стока | 13 A |
Максимальное напряжение сток-исток | 150 В |
Тип корпуса | TSDSON |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Число контактов | 8 |
Максимальное сопротивление сток-исток | 91 мΩ |
Номер канала | Поднятие |
Максимальное рассеяние мощности | 38 Вт |
Конфигурация транзистора | Одинарный |
Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
Количество элементов на ИС | 1 |
Материал транзистора | Кремний |
Серия | OptiMOS 3 |
Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Прямое напряжение диода | 1.2V |
Максимальная рабочая температура | +150 °C |
Длина | 3.4мм |
Типичный заряд затвора при Vgs | 5 нКл при 10 В |
Высота | 1.1мм |
Ширина | 3.4мм |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара