IRFS7530PBF
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
IRFS7530PBF
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CHANNEL HEXFET 60V 295A D2PAK
Цена от:
403,02 руб.
Нет в наличии
Описание IRFS7530PBF
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
| Brand | Infineon |
|---|---|
| Тип канала | N |
| Максимальный непрерывный ток стока | 295 А |
| Максимальное напряжение сток-исток | 60 В |
| Тип корпуса | D2PAK (TO-263) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Число контактов | 3 |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 2,1 мΩ |
| Номер канала | Поднятие |
| Максимальное рассеяние мощности | 375 Вт |
| Конфигурация транзистора | Одинарный |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Материал транзистора | Кремний |
| Длина | 10.54мм |
| Максимальная рабочая температура | +175 °C |
| Серия | HEXFET |
| Высота | 9.65мм |
| Ширина | 4.69мм |
| Прямое напряжение диода | 1.2V |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 274 нКл при 10 В |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IRFS7530PBF
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара