IRF3808PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 140 А, 340 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 140 А, 340 Вт
Код товара: 113247
Дата обновления: 25.10.2021 02:00
Цена от: 162,99 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка IRF3808PBF, Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 140 А, 340 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    TO-220
  • Тип упаковки
    Tube (туба)
  • Нормоупаковка
    50 шт.
  • Вес брутто
    2.85 г.
  • Напряжение исток-сток макс.
    75V
  • Ток стока макс.
  • Сопротивление открытого канала
  • Мощность макс.
  • Тип транзистора
  • Пороговое напряжение включения макс.
    4V
  • Заряд затвора
  • Входная емкость
  • Тип монтажа

Описание IRF3808PBF

Полевой транзистор, N-канальный, 75 В, 140 А, 340 Вт

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Структураn-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 ом при 82a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт340
Крутизна характеристики, S100
Корпусto220ab
Пороговое напряжение на затворе2…4
Вес, г2.5