IRF3808PBF, Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 75V 140A TO-220AB, 340W

Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт

irf3808 pdf, 246,3 кБ

Код товара: 113247

Дата обновления: 26.04.2024 16:10

Цена от: 116,42 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка IRF3808PBF , Транзистор полевой N-канальный 75В 140А 340Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220AB
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

50 шт
Вес брутто

2.8 г.
Напряжение исток-сток макс.

75В
Ток стока макс.

140A
Сопротивление открытого канала

7 мОм
Мощность макс.

330Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

220нКл
Входная емкость

5310пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание IRF3808PBF

N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

Структура	n-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	140
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.007 ом при 82a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	340
Крутизна характеристики, S	100
Корпус	to220ab
Пороговое напряжение на затворе	2…4
Вес, г	2.5

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← IRF2804SPBF IRF7495PBF →