PMBFJ309,215, Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
JFET N-CH 25V 250MW SOT23
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 25 В, 250 мВт
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
PMBFJ309,215
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт
-
Вес брутто0.05 г.
-
Напряжение Сток-Исток Макс
-
Проводимость (N/P)
-
Напряжение отсечки (при токе)
-
Мощность Макс.
Описание PMBFJ309,215
N-channel JFET, NXP
| Структура | n-канал |
| Напряжение пробоя (V(br)gss), В | 25 |
| Ток утечки (Idss), мА | 12…30 |
| при Vds, В (Vgs=0) | 10 |
| Напряжение отсечки (Vgs off), В | 1…4 |
| при Id, нА | 1000 |
| Сопротивление канала (RDS(On)), Ом | 50(typ) |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 0.25 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -65…+150 |
| Корпус | sot-23 |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара