IR2011SPBF, Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
Цена от:
130,11 руб.
Нет в наличии
Технические параметры
Описание IR2011SPBF
MOSFET & IGBT Gate Drivers, High and Low Side, Infineon
Gate Driver ICs from Infineon to control MOSFET or IGBT power devices in high-side and low-side configurations.
| Конфигурация | High-Side/Low-Side |
| Тип канала | независимый |
| Кол-во каналов | 2 |
| Тип управляемого затвора | N-CH MOSFET |
| Напряжение питания, В | 10…20 |
| Логическое напряжение (VIL), В | 0.7 |
| Логическое напряжение (VIH), В | 2.2 |
| Пиковый выходной ток нарастания (Source), А | 1 |
| Пиковый выходной ток спада (Sink), А | 1 |
| Тип входа | инвертирующий |
| Максимальное напряжение смещения, В | 200 |
| Номинальное время нарастания (Rise Time), нс | 35 |
| Номинальное время затухания (Fall Time), нс | 20 |
| Рабочая температура, °C | -40…+150 (TJ) |
| Корпус | soic-8 (0.154 inch) |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Аналоги и возможные замены
Наличие:
1 647 шт
Под заказ:
2 981 шт
Цена от:
от 67,19₽
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка IR2011SPBF , Драйвер верхнего и нижнего плеча для импульсного источника электропитания (200В 1.0/1.0A)
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 129 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 620 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 319 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара