DTC114ES, Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Digital Bipolar transistor, NPN, 50 V, 100 mA, 300 mW
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.3 Вт, 250 МГц, 10 кОм+10 кОм
Производитель:
ROHM
Артикул:
DTC114ES
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO92S/formed
-
Тип упаковкиAmunition Pack (лента в коробке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.33 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение КЭ Макс.
-
Мощность Макс.
-
Сопротивление резистора базы R1
-
Сопротивление резистора Э-База R2
Описание DTC114ES
Характеристики
Структура | npn-цифровой |
---|---|
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 50 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 120 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.35 |
Корпус | to92 |
Сообщите мне о поступлении товара