MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

NPN 300V 0.5A 0.35W

Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт
Код товара: 129190
Дата обновления: 25.04.2024 09:05
Доставка MMBTA42LT1G , Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 2352
Деловые линии
от 18 раб. дней
от 2322
Почта РФ
от 10 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 6 раб. дней
от 2578
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
  • Ток коллектора Макс.
  • Мощность Макс.
  • Коэффициент усиления hFE
    40
  • Тип монтажа

Описание MMBTA42LT1G

The MMBTA42LT1G is a 300V NPN silicon high voltage Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. The device is suitable for lower power surface mount applications.

• Halogen-free/BFR-free
• AEC-Q101 qualified and PPAP capable
• 300VDC Collector to base voltage (VCBO)
• 6VDC Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В300
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин40
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.3
Корпусsot-23
Вес, г0.05

Полные аналоги
Хотите получить образцы?
Заказать образец