RFP70N06, Транзистор полевой N-канальный 70А 60В, 150Вт
Field-effect transistor, N-channel, 70A 60V
Транзистор полевой N-канальный 70А 60В, 150Вт
Транзистор полевой N-канальный 70А 60В, 150Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
RFP70N06
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.92 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание RFP70N06
MOSFET, N, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 60V Current, Id Cont 70A Resistance, Rds On 0.014ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 4V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 180A Device Marking RFP70N06 No. of Pins 3 Power Dissipation 150W Power, Pd 150W Resistance, Rds on Max 0.014ohm Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 60V Voltage, Vgs th Max 4V
Структура | n-канал |
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.014 ом при 70a, 10в |
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 150 |
Корпус | to220ab |
Пороговое напряжение на затворе | 4 |
Вес, г | 2.5 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара