MJ11016G, Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт
Trans Darlington NPN 120V 30A 200000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 120 В, 30 А, 200 Вт
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
MJ11016G
Документы:
Описание MJ11016G
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Структура | npn darlington |
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 120 |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 120 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 30 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1000 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 4 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 200 |
Корпус | то-3 |
Вес, г | 18 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара