BC846BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

*Изображения служат только для ознакомления. См. DataSheet продукта

Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт
Код товара: 136941
Дата обновления: 17.01.2022 14:05
Цена от: 0,94 руб.
Адрес доставки
Для расчета срока и стоимости доставки, пожалуйста, выберите страну/регион/населенный пункт.
Доставка BC846BLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт в Екатеринбург

Технические параметры

  • Корпус
    SOT23-3
  • Тип упаковки
    Tape and Reel (лента в катушке)
  • Нормоупаковка
    3000 шт.
  • Вес брутто
    0.03 г.
  • Тип транзистора
    NPN
  • Напряжение Колл-Эмитт. Макс
    65V
  • Ток коллектора Макс.
  • Мощность Макс.
    300 mW
  • Коэффициент усиления hFE
    200
  • Тип монтажа

Описание BC846BLT1G

Биполярный транзистор, NPN, 65 В, 0.1 А, 0.225 Вт

The BC846BLT1G is a 65V NPN silicon Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is suitable for lower power surface mount applications, ESD protection, polarity reversal protection, data line protection, inductive load protection and steering logic.

• Halogen-free/BFR-free
• ESD rating - >4000V human body model, >400V machine model
• 80V Collector to base voltage (VCBO)
• 6V Emitter to base voltage (VEBO)
• 556°C/W Thermal resistance, junction to ambient

Структураnpn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В65
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин200…450
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт0.225
Корпусsot-23
Вес, г0.08

Аналоги