FQD1N60CTM, MOSFET N-канал 600В/1А/11.5Ом, диод, Advance QFET® C-Series
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FQD1N60CTM
Производитель:
Описание Eng:
N-Channel 600V 1A 2.5W Surface Mount TO-252
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Цена от:
42,23 руб.
Нет в наличии
Описание FQD1N60CTM
| Количество каналов | 1 Channel |
|---|---|
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Серия | FQD1N60C |
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 1 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 11.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Qg - заряд затвора | 6.2 nC |
| Канальный режим | Enhancement |
| Конфигурация | Single |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Ширина | 6.22 mm |
| Тип | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 0.75 S |
| Время спада | 27 ns |
| Время нарастания | 21 ns |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FQD1N60CTM , MOSFET N-канал 600В/1А/11.5Ом, диод, Advance QFET® C-Series
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 170 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2444 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 1455 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 681 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 383 ₽
от 1 раб. дня
от 627 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара