MJE15032G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт
Изображения служат только для ознакомления
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образецЦена от:
62,66 руб.
-
1+ 27+ 50+ 150+ 250+83,56 ₽ 76,42 ₽ 70,75 ₽ 66,12 ₽ 62,66 ₽Срок:В наличииНаличие:616Минимум:4Количество в заказ
Технические параметры
Описание MJE15032G
TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 0.5V Power Dissipation 2W Min Hfe 50 ft, Typ 30MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Alternate Case Style SOT-78B Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic av 1A Current Ic hFE 1A Device Marking MJE15032 No. of Pins 3 Power, Ptot 50W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 250V ft, Min 30MHz
Корпус SOT78, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 50
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |
