MJE15032G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 8 А, 50 Вт
Цена от:
76,82 руб.
-
1+ 15+ 30+ 50+ 150+83,60 ₽ 82,51 ₽ 81,14 ₽ 79,34 ₽ 76,82 ₽Срок:В наличииНаличие:1Минимум:1Количество в заказ
-
7+ 27+ 54+ 300+208,71 ₽ 198,77 ₽ 195,45 ₽ 183,86 ₽Срок:7 днейНаличие:300Минимум:Мин: 7Количество в заказ
Технические параметры
Описание MJE15032G
TRANSISTOR, NPN, TO-220 Transistor Type Bipolar Transistor Polarity NPN Collector-to-Emitter Breakdown Voltage 250V Current Ic Continuous a Max 8A Voltage, Vce Sat Max 0.5V Power Dissipation 2W Min Hfe 50 ft, Typ 30MHz Case Style TO-220 Termination Type Through Hole Alternate Case Style SOT-78B Application Code PGP Current Ic Max 8A Current Ic av 1A Current Ic hFE 1A Device Marking MJE15032 No. of Pins 3 Power, Ptot 50W Temperature, Full Power Rating 25°C Transistors, No. of 1 Voltage, Vcbo 250V ft, Min 30MHz
Корпус SOT78, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Напряжение КЭ максимальное 250 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 50
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 250 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 10 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 2 |
| Корпус | to-220 |
| Вес, г | 2.5 |