STP7NK80ZFP, Транзистор полевой N-канальный 800В 5.2А 30Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
N-MOS+D 800V, 5.2A, 30W
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.2А 30Вт
Транзистор полевой N-канальный 800В 5.2А 30Вт
Производитель:
ST Microelectronics
Артикул:
STP7NK80ZFP
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220FP
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка50 шт
-
Вес брутто2.43 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание STP7NK80ZFP
The STP7NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 ом при 2.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to220fp |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 |
| Вес, г | 2 |
Сообщите мне о поступлении товара