STP7NK80ZFP, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 800В 5.2А 30Вт
Есть технические вопросы по товару или производителю? Задайте их нашему инженеру.
Телеграм MAX Заказать бесплатный образец-
1+ 23+ 50+ 100+ 200+100,59 ₽ 92,26 ₽ 85,65 ₽ 80,26 ₽ 76,23 ₽Срок:В наличииНаличие:1 018Минимум:3Количество в заказ
-
1+ 23+ 50+ 100+ 200+100,59 ₽ 92,26 ₽ 85,65 ₽ 80,26 ₽ 76,23 ₽Срок:В наличииНаличие:32Минимум:1Количество в заказ
-
20+ 60+ 120+ 240+ 1250+101,87 ₽ 97,02 ₽ 95,40 ₽ 89,74 ₽ 88,13 ₽Срок:7 днейНаличие:1 250Минимум:Мин: 20Количество в заказ
Технические параметры
Описание STP7NK80ZFP
The STP7NK80ZFP is a 800V N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using SuperMESH™ technology, achieved through optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today's challenging efficiency requirements.
• Extremely high dv/dt capability
• 100% Avalanche tested
• Gate charge minimized
• Very low intrinsic capacitance
• Very good manufacturing repeatability
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.8 ом при 2.6a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Крутизна характеристики, S | 5 |
| Корпус | to220fp |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…4.5 |
| Вес, г | 2 |