FDS9926A, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
field-effect transistor assembly, 2xN-channel, 20V 6.5A 0.03 Ohm
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 20 В, 6.5 А, 2Вт, 0.03 Ом
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FDS9926A
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSO-8
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка2500 шт
-
Вес брутто0.2 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание FDS9926A
Характеристики
| Структура | 2n-канала |
|---|---|
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 43 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Крутизна характеристики, S | 11 |
| Корпус | so8 |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.5…1.5 |
Функциональные аналоги
-
9926A Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorНаличие:12494 штМинимум:штЦена от:7,48 ₽HottechSOP8
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара