AP4511GED, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт

Код товара: 148387

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
AP4511GED
Производитель:
Описание Eng:
field-effect transistor assembly, N+P-channel, 35V -6.1/7A 2W
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
40 шт
Корпус:
DIP-8
Тип транзистора:
N+P-channel
Напряжение сток-исток макс.:
35V
Ток стока макс.:
6.1/7A
Максимальная рассеиваемая мощность:
2W

Технические параметры

Тип транзистора

N+P-channel

Напряжение сток-исток макс.

35V

Ток стока макс.

6.1/7A

Максимальная рассеиваемая мощность

2W

Корпус

DIP-8

Вес брутто

1.3 г.

Описание AP4511GED

Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка AP4511GED , Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 239
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.