AP4511GED, Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

field-effect transistor assembly, N+P-channel, 35V -6.1/7A 2W

Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт

AP4511GED pdf, 120,8 кБ

Код товара: 148387

Дата обновления: 26.04.2024 00:10

Цена от: 51,64 руб.

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка AP4511GED , Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

DIP-8
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

40 шт
Вес брутто

1.3 г.
Тип транзистора

N+P-channel
Максимальное напряжение сток-исток

35V
Маскимальный ток стока

6.1/7A
Максимальная рассеиваемая мощность

2W

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

← AO4828 Si4542DY →