IRF8313PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W

Код товара: 154333

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF8313PBF
Производитель:
Описание Eng:
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
9.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Напряжение сток-исток макс.

30 В

Ток стока макс.

9.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRF8313PBF

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0155 ом при 9.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S23
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35
Вес, г0.15

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF8313TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 9.7 А, 2Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
11 659 шт

Под заказ:
7 742 шт
Цена от:
от 30,90

Способы доставки в Калининград

Доставка IRF8313PBF , Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.