IRF8313PBF, Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W

Код товара: 154333

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
IRF8313PBF
Производитель:
Описание Eng:
30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET
Тип упаковки:
Tube (туба)
Нормоупаковка:
95 шт
Корпус:
SO-8
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
9.7 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
2 Вт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Напряжение сток-исток макс.

30 В

Ток стока макс.

9.7 А

Максимальная рассеиваемая мощность

2 Вт

Вес брутто

0.2 г.

Описание IRF8313PBF

Структура2n-канала
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0155 ом при 9.7a, 10в
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт2
Крутизна характеристики, S23
Корпусso8
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35
Вес, г0.15

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Аналоги и возможные замены

IRF8313TRPBF Полный аналог Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 9.7 А, 2Вт Производитель: Infineon Technologies
Наличие:
8 484 шт

Под заказ:
3 542 шт
Цена от:
от 32,06

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка IRF8313PBF , Сборка из полевых транзисторов, N-канальный, 30 В, 2W в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
от 1 раб. дня
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 227
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145
EMS
от 1 раб. дня
от 620
Почта России
от 1 раб. дня
от 319
СДЭК
от 2 раб. дней
от 171
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.