BCW67CE6327HTSA1, Биполярный транзистор
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
Trans GP BJT PNP 32V 0.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Биполярный транзистор
Биполярный транзистор
Производитель:
Infineon Technologies
Артикул:
BCW67CE6327HTSA1
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Вес брутто0.05 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение Колл-Эмитт. Макс
-
Ток коллектора Макс.
-
Тип монтажа
Описание BCW67CE6327HTSA1
General Purpose PNP Transistors, Infineon
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.7 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 200 МГц |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 2 V |
| Длина | 2.9мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 45 В |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | Infineon |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 32 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 330 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Ширина | 1.3мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 800 мА |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 0.9мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 2.9 x 1.3 x 0.9мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара