BF510,215, Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 20V 10MA SOT23
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 20V, 10мA, 0,25Вт
Производитель:
NXP / Philips
Артикул:
BF510,215
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT23-3
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Вес брутто0.05 г.
-
Тип транзистора
-
Напряжение сток-исток max
-
Рабочая частота, Гц
Описание BF510,215
N-channel JFET, NXP
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Запирающий ток сток-исток Idss | 0.7 → 3.0mA |
| Производитель | NXP |
| Тип корпуса | SOT-23 (TO-236AB) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Минимальная рабочая температура | -65 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Высота | 1мм |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 20V |
| Максимальное напряжение сток-исток | 20 V |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 3 x 1.4 x 1мм |
| Конфигурация | Одинарный |
| Тип канала | N |
| Вес, г | 0.05 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара