DMN3190LDW-7, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А

Код товара: 192698

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
DMN3190LDW-7
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-363
Тип транзистора:
2N-канальный
Особенности:
Логическое управление
Напряжение сток-исток макс.:
30 В
Ток стока макс.:
1 А
Максимальная рассеиваемая мощность:
320 мВт

Технические параметры

Тип транзистора

2N-канальный

Напряжение сток-исток макс.

30 В

Ток стока макс.

1 А

Максимальная рассеиваемая мощность

320 мВт

Корпус

SOT-363

Вес брутто

0.037 г.

Описание DMN3190LDW-7

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока1,3 A
Тип корпусаSOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности400 мВт
Тип монтажаSurface Mount
Ширина1.35мм
Высота1мм
Размеры2.2 x 1.35 x 1мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС2
Длина2.2мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Типичное время задержки включения4.5 ns
ПроизводительDiodesZetex
Типичное время задержки выключения30,3 нс
Минимальная рабочая температура-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage2.8V
Максимальное сопротивление сток-исток335 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов6
КатегорияМощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs2 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds87 пФ при 20 В
Тип каналаN
Максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
Вес, г0.1

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Калининград

Доставка DMN3190LDW-7 , Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А в город Калининград
DPD РФ
от 6 раб. дней
от 345
Деловые линии
от 16 раб. дней
от 2639
EMS
от 5 раб. дней
от 1548
Почта России
от 17 раб. дней
от 720
СДЭК
от 3 раб. дней
от 743
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.