DMN3190LDW-7, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А
Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 1 А
Производитель:
Diodes Incorporated
Артикул:
DMN3190LDW-7
Документы:
Технические параметры
-
КорпусSOT-363
-
Тип упаковкиTape and Reel (лента в катушке)
-
Нормоупаковка3000 шт.
-
Вес брутто0.037 г.
-
Тип транзистора
-
Особенности
-
Максимальное напряжение сток-исток
-
Маскимальный ток стока
-
Максимальная рассеиваемая мощность
Описание DMN3190LDW-7
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальный непрерывный ток стока | 1,3 A |
| Тип корпуса | SOT-363 (SC-88) |
| Максимальное рассеяние мощности | 400 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ширина | 1.35мм |
| Высота | 1мм |
| Размеры | 2.2 x 1.35 x 1мм |
| Материал транзистора | Кремний |
| Количество элементов на ИС | 2 |
| Длина | 2.2мм |
| Transistor Configuration | Изолированный |
| Типичное время задержки включения | 4.5 ns |
| Производитель | DiodesZetex |
| Типичное время задержки выключения | 30,3 нс |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.8V |
| Максимальное сопротивление сток-исток | 335 мΩ |
| Максимальное напряжение сток-исток | 30 V |
| Число контактов | 6 |
| Категория | Мощный МОП-транзистор |
| Типичный заряд затвора при Vgs | 2 нКл при 10 В |
| Номер канала | Поднятие |
| Типичная входная емкость при Vds | 87 пФ при 20 В |
| Тип канала | N |
| Максимальное напряжение затвор-исток | -20 В, +20 В |
| Вес, г | 0.1 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара