FCP11N60N, Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 600V 10.8A TO220
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 10.8 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FCP11N60N
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка800 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FCP11N60N
N-Channel 600V 10.8A (Tc) 94W (Tc) Through Hole TO-220-3
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.299 ом при 5.4a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94 |
| Крутизна характеристики, S | 13.5 |
| Корпус | to221 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2…4 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара