FCPF7N60, полевой транзистор, n-канальный, 600 в, 7 а
Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара
MOSFET N-CH 600V 7A TO220F
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А
Полевой транзистор, N-канальный, 600 В, 7 А
Производитель:
ON Semiconductor
Артикул:
FCPF7N60
Документы:
Технические параметры
-
КорпусTO-220F
-
Тип упаковкиTube (туба)
-
Нормоупаковка1000 шт.
-
Вес брутто3.5 г.
-
Напряжение исток-сток макс.
-
Ток стока макс.
-
Сопротивление открытого канала
-
Мощность макс.
-
Тип транзистора
-
Пороговое напряжение включения макс.
-
Заряд затвора
-
Входная емкость
-
Тип монтажа
Описание FCPF7N60
The FCPF7N60 is a N-channel SuperFET® high voltage super-junction MOSFET utilizes charge balance technology for outstanding low ON-resistance and lower gate charge performance. This technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dV/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
• Ultra low gate charge (Qg = 23nC)
• Low effective output capacitance (Coss.eff = 60pF)
• 100% avalanche tested
| Структура | n-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.6 ом при 3.5a, 10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 83 |
| Крутизна характеристики, S | 6 |
| Корпус | to220fp |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Вес, г | 2 |
Хотите получить образцы?
Заказать образец
Сообщите мне о поступлении товара