8 800 1000 321 - контакт центр

FDC6420C, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 3 А/2.2 А, 0.96W

  • FDC6420C

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.2A SSOT-6

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 20 В, 3 А/2.2 А, 0.96W

Документация

DataSheet
Справочная информация
Код товара: 197243
Дата обновления: 14.12.2018 02:00
Цена за 1шт: 18.82 руб.
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
от 588 шт: 11.780 руб.
от 294 шт: 12.710 руб.
от 147 шт: 14.160 руб.
от 74 шт: 16.470 руб.
от 1 шт: 18.820 руб.
3 455 штНа складе1 шт.11 шт.
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 1 368 шт: 12.618 руб.
от 342 шт: 12.949 руб.
от 35 шт: 13.501 руб.
2 000 шт.7 раб. дн.1 шт.35 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
SuperSOT6
Нормоупаковка
3000 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Вес нетто
0.02 г
Тип транзистора
N/P-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
20 В
Маскимальный ток стока
3 А, 2.2 А
Сопротивление открытого канала
70 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
1.5 В
Максимальная рассеиваемая мощность
700 мВт
Заряд затвора
4.6 нКл
Входная емкость
324 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
69 шт.
Интернет-магазин
5455 шт.

Подробное описание

Характеристики

Структураn/p-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20/-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3/-2.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм70/125
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.96
Крутизна характеристики, S10/6
Корпусsupersot6

C этим товаром покупают:

Микросхемы
PIC18F2550-I/SO
Цена от
237.61 руб.
Оптоэлектроника
L-7104SYC-H
Цена от
15.40 руб.
Разъемы, Соединители
ICSS-30 (1.78mm)
Цена от
4.05 руб.
Транзисторы
IRL2203NPBF
Цена от
46.66 руб.

Поделиться:
сообщение об ошибке