FDD5N50NZTM, N-MOS+D 500V, 4A, 40W
Изображения служат только для ознакомления
Наименование:
FDD5N50NZTM
Производитель:
Описание Eng:
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
2500 шт
Корпус:
DPAK/TO-252AA
Цена от:
49,34 руб.
Внешние склады
-
146+ 211+ 422+ 2109+60,25 ₽ 51,96 ₽ 50,65 ₽ 49,34 ₽Срок:25 днейНаличие:2 500Минимум:Мин: 146Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Описание FDD5N50NZTM
| Упаковка | Reel, MouseReel, Cut Tape |
|---|---|
| Серия | FDD5N50NZ |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Высота | 2.39 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Ширина | 6.22 mm |
| Вес изделия | 260.370 mg |
| ECCN | EAR99 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 62 W |
| Конфигурация | Single |
| Технология | Si |
| Время спада | 21 ns |
| Время нарастания | 22 ns |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.5 Ohms |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 28 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.54 S |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FDD5N50NZTM , N-MOS+D 500V, 4A, 40W
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 144 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2200 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара