FDG311N, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A

Код товара: 197341

Изображения служат только для ознакомления

Наименование:
FDG311N
Производитель:
Описание Eng:
MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6
Тип упаковки:
Tape and Reel (лента в катушке)
Нормоупаковка:
3000 шт
Корпус:
SOT-363
Напряжение сток-исток макс.:
20В
Ток стока макс.:
1.9A
Сопротивление открытого канала:
115 мОм
Мощность макс.:
480мВт
Тип транзистора:
N-канал

Технические параметры

Напряжение сток-исток макс.

20В

Ток стока макс.

1.9A

Сопротивление открытого канала

115 мОм

Мощность макс.

480мВт

Тип транзистора

N-канал

Особенности

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Пороговое напряжение включения макс.

1.5В

Заряд затвора

4.5нКл

Входная емкость

270пФ

Тип монтажа

Surface Mount

Корпус

SOT-363

Вес брутто

0.05 г.

Описание FDG311N

Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A

Нашли ошибку? Выделите текст с ошибкой и нажмите Ctrl+Enter

Документы и сертификаты

Документация и Datasheet

Способы доставки в Екатеринбург

Доставка FDG311N , Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 1.9A в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 136
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2092
EMS
от 1 раб. дня
от 568
Почта России
от 1 раб. дня
от 303
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.