8 800 1000 321 - контакт центр

FDMB3800N, Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.8 А

  • FDMB3800N

* Изображения служат только для ознакомления См. DataSheet продукта

Производитель
ON Semiconductor

Описание

MOSFET 2N-CH 30V 4.8A MICROFET

Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 4.8 А

Документация

DataSheet
Код товара: 197419
Дата обновления: 18.12.2018 20:30
СкладЦенаНаличиеСрок поставкиКратностьМинимумКоличество
Промэлектроника
Нет в наличии
СкладЦенаНаличиеСрокКратностьМинимумКоличество
Внешние склады
от 3 000 шт: 29.046 руб.
3 000 шт.28 раб. дн.3 000 шт.3 000 шт.
Количество:
Стоимость:

Технические параметры

Корпус
8-MLP, MicroFET (3x1.9)
Нормоупаковка
3000 шт.
Тип упаковки
Tape and Reel (лента в катушке)
Тип транзистора
2N-канальный
Максимальное напряжение сток-исток
30 В
Маскимальный ток стока
4.8 А
Сопротивление открытого канала
40 мОм
Пороговое напряжение включения макс.
3 В
Максимальная рассеиваемая мощность
750 мВт
Заряд затвора
5.6 нКл
Входная емкость
465 пФ
Тип монтажа
Поверхностный

Наличие в магазинах

Колмогорова, 70
0 шт.
Интернет-магазин
3000 шт.

Поделиться:
сообщение об ошибке