FDS8958B, Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В
Код товара: 197778
Дата обновления: 25.11.2022 07:15
Доставка FDS8958B , Сборка из полевых транзисторов, N/P-канальный, 30 В в город Калининград
Boxberry
от 9 раб. дней
от 761
DPD РФ
от 7 раб. дней
от 670
Деловые линии
от 10 раб. дней
от 1586
Почта РФ
от 15 раб. дней
от 290
EMS
от 4 раб. дней
от 1363
СДЭК
от 4 раб. дней
от 724
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Описание FDS8958B

The FDS8958B is a dual N/P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. The device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required. It is suitable for use with DC-to-DC converter, BLU and motor drive inverter applications.

Максимальная рабочая температура+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока4,5 А, 6,4 А
Тип корпусаSOIC
Максимальное рассеяние мощности1,6 Вт, 2 Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Ширина3.9мм
Высота1.575мм
Размеры4.9 x 3.9 x 1.575мм
Материал транзистораКремний
Количество элементов на ИС2
Длина4.9мм
Transistor ConfigurationИзолированный
Типичное время задержки включения4.3 ns, 6 ns
ПроизводительON Semiconductor
Типичное время задержки выключения12 нс, 17 нс
СерияPowerTrench
Минимальная рабочая температура-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1V
Максимальное сопротивление сток-исток39 мОм, 80 мОм
Максимальное напряжение сток-исток30 V
Число контактов8
Типичный заряд затвора при Vgs14 нКл при 10 В, 8,3 нКл при 10 В
Номер каналаПоднятие
Типичная входная емкость при Vds405 пФ при 15 В, 570 пФ при -15 В
Тип каналаN, P
Максимальное напряжение затвор-исток-25 V, -20 V, +20 V, +25 V
Вес, г0.15