FQP17P06, Транзистор полевой MOSFET P-канальный 60В 17A
Изображения служат только для ознакомления
Цена от:
154,34 руб.
-
1+ 7+ 14+ 27+ 54+177,90 ₽ 171,27 ₽ 165,07 ₽ 159,10 ₽ 154,34 ₽Срок:В наличииНаличие:194Минимум:2Количество в заказ
-
6+ 25+ 50+ 100+230,34 ₽ 219,37 ₽ 215,72 ₽ 202,92 ₽Срок:7 днейНаличие:100Минимум:Мин: 6Количество в заказ
-
7+228,79 ₽Срок:7 днейНаличие:10Минимум:Мин: 7Количество в заказ
Технические параметры
Описание FQP17P06
FQP17P06 является P-канальным, силовым МОП-транзистором QFET® -60В с режимом обогащения и использованием запатентованной и технологии DMOS от компании Fairchild Semiconductor. Эта усовершенствованная технология МОП-транзистора была специально разработана для снижения сопротивления в активном состоянии, обеспечения превосходных характеристик переключения и высокого уровня энергетической силы лавинного процесса. Этот продукт является универсальным и подходит для различных применений.
• Низкий заряд затвора
• Лавинное тестирование 100%
• Повышенная надежность системы в топологиях PFC и мягкой коммутации
• Улучшение потерь коммутации
• Более низкие потери проводимости
• Максимальная температура перехода 175°C
| Структура | p-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±25 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 ом при-8.5a, -10в |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 79 |
| Крутизна характеристики, S | 9.3 |
| Корпус | to220 |
| Вес, г | 2.5 |
