FQP55N10, Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А

Изображения служат только для ознакомления. См. документацию товара

MOSFET N-CH 100V 55A TO-220

Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А

FQP55N10 pdf, 0,8 мБ

Код товара: 198617

Дата обновления: 21.09.2021 10:25

Цена и наличие
Сроки доставки

Доставка FQP55N10 , Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 55 А в город Калининград

Boxberry

от 9 раб. дней

от 761 ₽

DPD РФ

от 7 раб. дней

от 670 ₽

Деловые линии

от 10 раб. дней

от 1586 ₽

Почта РФ

от 15 раб. дней

от 290 ₽

EMS

от 4 раб. дней

от 1363 ₽

СДЭК

от 4 раб. дней

от 724 ₽

* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.

Технические параметры

Корпус

TO-220
Тип упаковки

Tube (туба)
Нормоупаковка

1000 шт.
Вес брутто

3.5 г.
Напряжение исток-сток макс.

100В
Ток стока макс.

55A
Сопротивление открытого канала

26 мОм
Мощность макс.

155Вт
Тип транзистора

N-канал
Пороговое напряжение включения макс.

4В
Заряд затвора

98нКл
Входная емкость

2730пФ
Тип монтажа

Through Hole

Описание FQP55N10

QFET® N-Channel MOSFET, over 31A, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor's new QFET® planar MOSFETs use advanced, proprietary technology to offer best-in-class operating performance for a wide range of applications, including power supplies, PFC (Power Factor Correction), DC-DC Converters, Plasma Display Panels (PDP), lighting ballasts, and motion control.
They offer reduced on-state loss by lowering on-resistance (RDS(on)), and reduced switching loss by lowering gate charge (Qg) and output capacitance (Coss). By using advanced QFET® process technology, Fairchild can offer an improved figure of merit (FOM) over competing planar MOSFET devices.

Структура	n-канал
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)	0.026 ом при 27.5a, 10в

Рекламодатель:
ООО ТД «Промэлектроника»
erid: Kra23ThKf

Хотите получить образцы?

Заказать образец

← FQP50N06L FQP6N90C →