FZT658TA, Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5 А
Цена от:
26,25 руб.
Внешние склады
-
281+ 410+ 817+31,22 ₽ 26,93 ₽ 26,25 ₽Срок:25 днейНаличие:3 855Минимум:Мин: 281Количество в заказ
Количество:
Стоимость:
Технические параметры
Описание FZT658TA
High Voltage Transistors, Diodes Inc
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,5 В |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 50 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 0,9 В |
| Длина | 6.7мм |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 400 V |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 400 V |
| Тип корпуса | SOT-223 |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 3.7мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 500 мА |
| Тип транзистора | NPN |
| Высота | 1.65мм |
| Число контактов | 3 + Tab |
| Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 |
| Вес, г | 0.15 |
Документы и сертификаты
Документация и Datasheet
Способы доставки в Екатеринбург
Доставка FZT658TA , Биполярный транзистор, NPN, 400 В, 0.5 А
в город Екатеринбург
Самовывоз из Екатеринбурга
завтра
Бесплатно
DPD РФ
от 1 раб. дня
от 146 ₽
Деловые линии
от 2 раб. дней
от 2145 ₽
EMS
от 1 раб. дня
от 568 ₽
Почта России
от 1 раб. дня
от 303 ₽
СДЭК
от 2 раб. дней
от 172 ₽
* Стоимость и сроки доставки являются ориентировочными. Итоговая стоимость и срок будут рассчитаны на странице оформления заказа.
Сообщите мне о поступлении товара